劉佩真／台經院產經資料庫總監、APIAA理事

雖然原先中國官方對於半導體擘劃的發展藍圖，二○二○年要在半導體核心基礎零部件、關鍵基礎材料應實現四十％的自主率，二○二五年達到七十％，但預估二○二二年對岸實際半導體國產化率恐仍不及十八％，尤其上游的半導體設備與材料、EDA、IP等領域相對於國外龍頭公司的市場話語權偏弱，市場被歐、美、日等國所主導，同時中國下游廠商若替換國際供應商轉為本土半導體業者，則有較高的成本轉換成本，以及面臨功效不確定性，較長的產品驗證週期也恐影響公司出貨速度。

顯然即便中國政府對於半導體業大幅進行扶植計畫，但仍舊無法突破美中科技戰後美國所設下的卡關問題，尤其是半導體設備、核心晶片、EDA，仍是中國半導體國產化進程無法顯著往前的關鍵，凸顯中國半導體對國外先進製程產品體系依賴較重，高階產品的技術攻堅及創新問題迫在眉睫。

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也就是說近期中國對於半導體業所祭出的相關獎勵政策，主要包括二期IC大基金、新基建、科創板、新時期促進IC產業與軟體產業高品質發展若干政策、第三代半導體材料將列入十四五規劃，同時兩會上，中國官方也特別提及汽車行業缺晶片的問題上，需加強產業鏈環節的補強。

甚至是最新二○二二年三月中旬才發布的「關於做好二○二二年享受稅收優惠政策的IC企業或專案、軟體企業清單制定工作有關要求的通知」，特別針對中國官方鼓勵的IC線寬小於廿八奈米（含）、線寬小於六五奈米（含）、線寬小於一三○奈米（含）的IC生產企業，以及IC設計企業和軟體企業，加上IC線寬小於六五奈米（含）的邏輯電路、記憶體生產企業，還有線寬小於○．廿五微米（含）的特色製程IC生產企業，再者IC線寬小於○．五微米（含）的化合物IC生產企業和先進封裝測試企業也含括在內，當然IC產業的關鍵原材料、零配件（例如靶材、光刻膠、掩模版、封裝載板、拋光墊、拋光液、八吋及以上矽晶圓、八吋及以上矽片）等生產企業亦屬於中國政府補貼的對象。

不過二○二二年預計中國半導體業各發展環節依舊以封測領域能見度較高，原先該細產業發展程度較為成熟，且近期長電科技在覆晶封裝、二．五D IC等先進封裝技術，有來自於先前海思人才轉移的加持所致。而IC設計在部分關鍵晶片的能力突破仍需時間，尤其是華為禁制令後，海思整體營運績效急速下滑。

晶圓代工龍頭廠商—中芯國際短期雖有成熟製程產能滿載的挹注，但不可否認十四奈米以下進程毫無進展的事實。至於著重於NAND Flash、DRAM發展的長江存儲、長鑫存儲，初期發展雖穩定前進，但後續仍需觀察其外銷市場拓展、相關專利是否無虞等問題。

整體而言，中國要實現大範圍的半導體國產化替代，仍需要有相當的催化劑，尤其是需面臨美國對中國科技競爭的加強防範及防堵，此幾乎加深對岸攻堅半導體技術的門檻，特別是俄烏戰爭又再度引發美中的政治角力，美方不斷警示中國勿提供俄羅斯相關半導體產品或技術的供應，否則將再度遭到美方的制裁，顯然短期內中國要取得美方或盟友的高階半導體設備、晶片的供應，仍有其難度。

況且中國現階段在挖角海外人才方面也遭遇困難，雖然先前紅色供應鏈崛起之時，吸引不少台系半導體廠的指標要角移往中國進行發展，但隨著過去三年中國至少有六個大型晶片製造計畫以失敗收場，且前一波遭到中國挖角的台灣半導體人才，紛紛辭職離開中國廠，則可看出兩岸半導體業發展的消長變化，加上台灣祭出國家安全法相關規範，使得未來中國對台挖角難度也將有所提升。

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