◎ 林修民
根據外資高盛的最新報告表示，中國在半導體製造關鍵環節的曝光技術研發上，至少落後國際領先同業 20 年的時間。
高盛的分析指出，曝光技術在晶圓上的關鍵作用使其成為晶片製造流程中的決定性瓶頸。目前台積電已能大規模生產 3 奈米晶片，並正積極準備進量產2 奈米。反觀中國國內的曝光設備製造商，其技術水平仍停留在相對陳舊的 65 奈米製程。
中國國內的曝光設備製造商，其技術水平仍停留在相對陳舊的 65 奈米製程。示意圖。（路透檔案照）
早在2020年時，中國網路上就不斷有消息傳出中國自製的28奈米曝光機即將問世，只是，時間一到卻不斷延期，延到今（2025）年4月都還有中國新的廠商展出28奈米的曝光機的"模型"，直到最新的高盛報告說明中國還停留在65奈米的乾式做法，連浸潤式曝光機都無法完成。
這種情況下，中國自製的半導體能力只能全部倚賴原來外國進口的設備，在現有的設備上持續前進。所以根據摩根史丹利報告指出，中芯今年生產的華為 Ascend 系列 AI 晶片良率僅約 30%，使得原本對 2025 至 2027 年的收入預估出現腰斬。
目前中芯僅能依靠透過囤積的ASML 深紫外光（DUV）曝光機多重曝光，生產 7 奈米晶片。示意圖。（路透檔案照）
目前中芯僅能依靠透過囤積的ASML 深紫外光（DUV）曝光機多重曝光，生產 7 奈米晶片。這種方式大幅增加製程步驟，不僅推升成本，也導致良率難以提升。摩根史丹利預計，中芯 910B 良率雖可逐步改善，但最快也要到 2027 年才可能達到 70%。
在這種情況下，中國半導體技術幾乎只能停留在7奈米，而在美國連DUV都管制維修的情況下，一旦庫存斷貨，中國自產的半導體技術最差的狀況還有可能會回到65奈米，那就不只是曝光機的問題而已，而是整體半導體技術回到20年前的世界。
（作者為科技專欄作家）
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