◎林修民
時序來到了2025年，這是一個海峽兩岸重要的時刻，不只10年前對面中國喊出中國製造2025計畫，台灣方面、2015年也有人預言台灣當時如果不開放中國入股台灣IC業，2025年台灣IC產業恐消失，既然時間已經來到2025，不妨來檢驗上述人士的預言結果。
習近平除在中共20大閉幕後，率領新任政治局常委赴延安考察、以毛繼承人自居心態不言可喻。圖為習率六位政治局常委李強、 趙樂際、王滬寧、蔡奇、丁薛祥、李希亮相。（法新社資料照）
近年來言必稱毛澤東的習近平，除了在中國共產黨第20大閉幕後，率領新任政治局常委赴延安考察、以毛繼承人自居心態不言可喻，在經濟政策也以毛為師，對鄧小平以來的改革開放政策嗤之以鼻，在毛治理下的中國，最知名的經濟政策無非大躍進、總路線與人民公社統稱三面紅旗，其中大躍進就是毛澤東宣示國家的鋼鐵製造量要超英趕美。
今日的半導體就是60年前的鋼鐵
大躍進與中國製造2025的相似處不只領導人想法一樣，而且環境背景也頗類似。今日主張中國半導體必將追上自由民主陣營的人士通常認為，中國有眾多人口，不只有優秀技術人才，消費市場也眾多。在國家支援人力財力下，只要有人、有錢最後必能追上美國。
今日中共半導體就是60年前的鋼鐵大躍進政策。示意圖。（路透檔案照）
而且、在1960年代，那個電晶體才剛問世的年代，不管經濟或是國防力量、鋼鐵產量才是極端重要的指標，與今日的半導體頗為類似。或許、毛澤東時代的大躍進政策成果或許可以做為中國製造2025的評價的參考。
鼓足幹勁 力爭上游 多快好省
1958年5月5日，中國共產黨第8大第二次代表會議登場，毛澤東一改原先他訪問蘇聯後設想需15年超越英國，重新修正為: 如果五年達到四千萬噸，可能七年趕上英國、再加上八年就能趕上美國。
在毛的指示下，整個國家動起來，所有呈上去的報告越來越樂觀，毛澤東也越來越開心，一個多月以後，毛澤東信心滿滿的表示:超過英國、不是十五年、也不是七年，只需兩到三年，十年後就可以超越美國。
在1958年的全民大煉鋼行動中，全國總共動員了超過一億人口投入煉鋼所需要的開採、冶煉與運輸的工作，超過當時人口的六分之一，相當於現在的兩億多人都在從事煉鋼產業。
為了達成毛澤東10年內超英趕美的目標，大量拿原本燒製磚瓦、器皿的磚瓦窯改興建以磚土製成的「土高爐」，1958年9月毛到武漢視察了一批鋼鐵企業，對群眾表現出來的生產熱情極為滿意，陪同的胡北省第一書記也接著回答: 「主席一再強調發揮群眾的積極性和創造性，許多奇蹟也出來了。」
事後證明、這些低技術、高人力投入所煉出的所謂鋼錠，通常只是廢鐵。這些被改去煉鋼的人力和資源最後也是導致當年年底全國大飢荒的重要原因之一。
什麼是中國製造2025?
「中國製造2025」，主要是指中國於2015年 5 月 19 日發布「中國製造 2025」行動綱領，揭示 10 年內從「製造大國」邁向「製造強國」的政策藍圖，也代表中國製造業的發展路徑圖。該計畫提及9大戰略任務、10大重點領域以及5大重大工程，其中當然包含目前美中競爭焦點中的焦點: 新一代資訊技術、包含半導體及專用裝備；資訊通訊設備；操作系統及工業軟體）。
中國製造2025，科技業卻紛紛表態：沒美國做不到；圖為華為子公司海思製造的「鯤鵬920」晶片，但仍使用ARM架構。（路透）
而在半導體的目標方面，主旨在將中國的晶片產量提升到 2020 年的 40%，期望 2025 年達 70%。
值得注意的是，中國生產的晶片不等於中國廠商在中國生產的晶片，事實上在2015年時中國境內半導體產值前兩大是來自韓國海力士在無錫生產的DRAM以及三星在陝西生產的NAND快閃記憶體。 前十大外商還包括intel和台積電。
如果扣掉上述外商，中國本地半導體自製率在2015年甚至不到5%。
為了支持上面的計畫，中國政府提出了大基金計畫補助半導體公司，第一期規模就高達1300億人民幣，二期更加碼到2000億人民幣，目前的第三期更衝上3300億人民幣。
各省為了達成黨中央的規劃，省級補助也不落人後，例如武漢弘芯，武漢市政府也出資了2億人民幣，最後證實為一場詐騙。（取自武漢弘芯官網）
不只上述中央的補助，各省為了達成黨中央的規劃，省級補助也不落人後，例如武漢弘芯，武漢市政府也出資了2億人民幣，最後證實為一場詐騙，政府最後也得自行接管。
經過大量中央與地方補助之後的中國製造2025計畫，實際運作至今日，仍只即使含外商在內的中國本地製造晶片仍只有20%出頭左右的市占率。與其當初喊出70%的市佔率相去甚遠。
檢視中國今日半導體發展，唯一跟上世界主流水準的只有長鑫存儲的DRAM，目前已能推出目前量產最先進DDR5/LPDDR5，其餘如邏輯代工與NAND，或是IC設計能力，距離世界上頂尖水準如2015年華為相較，距離都越拉越遠。
根據Tom’sHardware報導拆解晶片的資訊，長鑫存儲的DDR5 16Gb 成本約比三星、美光現有產品高出40%，但其可能利用美國管制DRAM 17奈米設備禁令的空窗期間就已經大量囤積相關設備，但預期其接下來的幾年也將利用國家補貼繼續對國際市場進行干擾，有如之前的太陽能與現在的電動車。
半導體外資紛紛潤出中國
雖然中國從黨中央到省級單位，紛紛投入補助與口號要強打中國製造，但半導體的外資事實上都在賣廠逃生，逃不掉的只好在原地且戰且走。
最聰明的Intel最先賣掉其大連的NAND，晶片製造全撤出中國，三星今年也傳出即將出售西安的NAND工廠，外資在中國產值最大的SK Hynix也受限於美國禁令，先進DRAM設備運不進中國，想完全把其無錫廠整個搬回韓國又怕刺激中國，成了最淒慘的苦主。
韓國SK海力士先進DRAM設備運不進中國，想完全把其無錫廠整個搬回韓國又怕刺激中國，成了最淒慘的苦主。（美聯社）
過去的大煉鋼、現在的大造芯
統計中國製造2025年計畫與中國大基金整體成果，除了在記憶體方面因美國禁令有時間落差得以進步外，整體研發進步幾乎原地空轉，IC設計甚至還呈現退步狀況，因為技術停留原地，湧入的國家補助基金只好拿來大開產量在成熟製程。
而上述還是發展比較好的企業，其他中小企業更是慘不忍睹，根據中國自己媒體的統計、在2022年至2023年共有超過1.6萬家晶片相關企業倒閉或註銷，在去（2024）年更達到高峰有1.46萬家倒閉，猶如當年大躍進時家家戶戶響應毛主席大煉鋼鬧劇之後的大飢荒。
中國過去的資通訊半導體高速成長的原因
或許有人會問，如果中國半導體未來真是如此，那為何中國過去數十年資通訊半導體能力高速成長? 答案是得力於美國。
美國曾經不切實際的希望援助中國的技術與資金能夠助中國擺脫專制，但事實上那是美國自己一廂情願的看法，中國資通半導體技術數十年來高速發展並沒有讓中國變得更民主自由，反而回到毛澤東的延安時代，利用美國的技術在對準美國的航母。
而前述認為中國半導體必將追上美國，或是台灣IC產業在2025年會消失的人士，其主張中國的優勢是在人才、資金與市場，卻發現中國的優秀人才幾乎都擁有歐美日國籍或是永居權、房地產泡沫與資通訊產品製造可能移轉至印度時，中國製造2025真正的面貌其實就是大躍進的2025版。
（作者為科技專欄作家）
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